Российские ученые получили материалы для создания элементов памяти будущего

Аспирант Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Иван ЮшковЧитать ria.ru в Дзен

Ученые Новосибирского госуниверситета разработали новые материалы для создания перспективных элементов памяти будущего, которые будут превосходить флеш-память по количеству циклов перезаписи, емкости и быстродействию, сообщает во вторник НГУ.

В вузе пояснили, что в настоящее время технологии дошли до рубежа, когда человечество из флеш-памяти выжало «максимум»: достигнуто максимальное количество циклов перезаписи, максимальная продолжительность использования, максимальные объемы по емкости на один элемент. Используя эту же технологию, кратно увеличить параметры памяти электронных приборов не представляется возможным.

Российские ученые получили материалы для создания элементов памяти будущего

В России спроектировали «ясли синхротронистов»

Источник

No comment

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *