Аспирант Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Иван ЮшковЧитать ria.ru в Дзен

Ученые Новосибирского госуниверситета разработали новые материалы для создания перспективных элементов памяти будущего, которые будут превосходить флеш-память по количеству циклов перезаписи, емкости и быстродействию, сообщает во вторник НГУ.

В вузе пояснили, что в настоящее время технологии дошли до рубежа, когда человечество из флеш-памяти выжало «максимум»: достигнуто максимальное количество циклов перезаписи, максимальная продолжительность использования, максимальные объемы по емкости на один элемент. Используя эту же технологию, кратно увеличить параметры памяти электронных приборов не представляется возможным.

В России спроектировали «ясли синхротронистов»

Источник