
Российские ученые получили материалы для создания элементов памяти будущего
Аспирант Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Иван ЮшковЧитать ria.ru в Дзен Ученые Новосибирского госуниверситета разработали новые материалы для создания перспективных элементов памяти ... Подробнее